Hiksemi Future 512GB Gen4 M.2 NVMe 3D NAND SSD

Hiksemi Future 512GB Gen4 M.2 NVMe SSD paistab silma oma PCIe Gen4 x4 liidesega, pakkudes kuni 3500 MB/s järjestikust lugemiskiirust – peaaegu kaks korda suurem ribalaius kui Gen3 draividel – olles samal ajal tagasiühilduv. Ehitatud 3D TLC NAND ja Maxio MAP1202 kontrolleri baasil, tasakaalustab see kõrge jõudluse ja vastupidavuse nõudlike töökoormuste jaoks.

Esiletõstmised

• 512GB maht operatsioonisüsteemile, rakendustele ja kõrglahutusega meediale
• M.2 2280 vormitegur sobib ultrabookidele, lauaarvutitele ja mänguriistadele
• NVMe 1.4 protokoll koos Host Memory Buffer (HMB) vähendab latentsust
• Kuni 300 000 juhuslikku lugemis IOPS-i sujuvaks multitegumtööks
• 250 TBW vastupidavus ja 1,5 miljonit tundi MTBF pikaajaliseks töökindluseks

Igapäevases kasutuses

Käivitusajad lühenevad sekunditeni ja suurte failide ülekanded lõpevad märgatavalt kiiremini kui SATA või Gen3 alternatiivid. Draiv püsib jahe pideva koormuse all tänu tõhusale energiahaldusele – ainult 3,5W maksimaalselt lugemisel. TRIM ja S.M.A.R.T. tugi hoiavad jõudluse aja jooksul ühtlasena, samal ajal kui ECC parandab vigu lennult.

Täielikud tehnilised andmed

• Maht: 512 GB
• Liides: PCIe Gen4 x4
• NVMe versioon: 1.4
• Vormitegur: M.2 2280
• NAND-välkmälu tüüp: 3D TLC
• Kontroller: Maxio MAP1202
• Järjestikune lugemiskiirus: kuni 3500 MB/s
• Järjestikune kirjutamiskiirus: kuni 2600 MB/s
• Juhuslik lugemis IOPS (4KB): kuni 300 000
• Juhuslik kirjutamis IOPS (4KB): kuni 400 000
• TBW reiting: 250 TB
• MTBF: 1 500 000 tundi
• Töötemperatuur: 0°C kuni 70°C
• Hoiutemperatuur: -40°C kuni 85°C
• Energiatarve (lugemine): 3,5 W max
• Energiatarve (kirjutamine): 3,2 W max
• Energiatarve (ooterežiim): 0,3 W tüüpiline
• Funktsioonid: TRIM, S.M.A.R.T., ECC, HMB

Lõppmärkus

Kasutajatele, kes uuendavad vanemalt salvestuselt, pakub Hiksemi Future 512GB käegakatsutavat kiiruse tõusu ilma panka lõhkumata – ideaalne mängimiseks, sisuloomiseks või igapäevaseks tootlikkuseks.